近日，德國和加拿大的研究人員使用3D打印來開發(fā)新的電阻式存儲器（ReRAM）器件，該設(shè)備使用其電阻狀態(tài)來表示二進制信息。

隨著社會的發(fā)展，縮小儲存器設(shè)備尺寸的需求正在變得越來越強烈?，F(xiàn)在，德國慕尼黑應(yīng)用科技大學和加拿大INRS-EMT的一組研究人員開發(fā)了一種噴墨3D打印技術(shù)，可用于制造緊湊、靈活的電阻式記憶裝置，用于批量生產(chǎn)可打印電子產(chǎn)品。

據(jù)悉，研究人員在一篇發(fā)表于Applied Physics Letters的研究論文中提出了用于批量生產(chǎn)的可打印電子產(chǎn)品的電阻式存儲器件概念。INRS-EMT的博士生Bernhard Huber說，“該組ReRAM的原理很簡單。在任何種類的存儲器中，基本存儲器單元必須在表示一個位的兩個狀態(tài)之間切換，或者‘0’或‘1’，對于ReRAM器件，這兩種狀態(tài)由存儲器單元的電阻定義?！?/span>

研究人員使用了一種稱為導(dǎo)電橋隨機存取的存儲器（CB-RAM）。對于它們的3D打印配置，Huber解釋說，“0是‘絕緣旋涂玻璃表示的高電阻狀態(tài)，其將導(dǎo)電聚合物電極與銀電極分離”，而1是‘電阻狀態(tài)由金屬絲制成，其連接到旋涂玻璃上并在兩個電極之間提供可逆的短路’?！?/span>

在類似于辦公室噴墨打印的過程中，只有使用不同的打印材料，研究人員才能打印功能性油墨來創(chuàng)建電容器結(jié)構(gòu)（導(dǎo)體-絕緣體導(dǎo)體）。盡管打印過程相對熟悉，但研究人員表示，他們的工作可能會有很大的影響，可能證明在低性能存儲器件領(lǐng)域是有用的。

慕尼黑應(yīng)用科技大學的Christina Schindler表示：“我們不僅證明了完整的3D打印工藝是可行的，而且性能參數(shù)與潔凈室制造的器件相當。最大的技術(shù)吸引力是我們的記憶瓷磚的機械靈活性，并且所有加工所需的材料都可以在市場上買到。從我們的概念證明，我們正在為優(yōu)化鋪平道路?！?/span>

研究人員認為，他們用于創(chuàng)建電阻式存儲器件的新型3D打印方法可能具有某些實際應(yīng)用。這些包括生產(chǎn)用于信用卡的計算機芯片和可穿戴電子產(chǎn)品的組件，如智能手表。

INRS-EMT的Andreas Ruediger補充說：“按需打印電子產(chǎn)品是應(yīng)用的另一大領(lǐng)域。目前，通用電子設(shè)備的主要來源是現(xiàn)場可編程陣列，它們提供了一種可重新配置的電路，可以用于不同目的的預(yù)定限制。”

此外，研究人員認為，致力于這一任務(wù)的打印機最終可能會像目前的噴墨打印機一樣，為易于生產(chǎn)的柔性打印電子產(chǎn)品鋪路。

延伸閱讀：Nano Dimension新技術(shù)：可3D打印出更薄更可靠的可嵌入電子元件的電路板

來源：3D虎